Amorphous pnictide semiconductor BaZn<sub>2</sub>As<sub>2</sub> exhibiting high hole mobility

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Amorphous pnictide semiconductor BaZn₂As₂ exhibiting high hole mobility

著者

和文:	Xiao Zewen, 冉凡勇, Liao Min, Shigenori Ueda, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫.
英文:	Zewen Xiao, Fan-Yong Ran, Min Liao, Shigenori Ueda, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Appl. Phys. Lett.

巻, 号, ページ

Vol. 109 pp. 242105-1 - 4

出版年月

2016年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: