A New Resistive Switching Based on Breakdown and Anodic Re-Oxidation of Thin SiO2 at the Interface of CeOx Buffer Layer and Silicon Related Bottom Electrodes

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	A New Resistive Switching Based on Breakdown and Anodic Re-Oxidation of Thin SiO2 at the Interface of CeOx Buffer Layer and Silicon Related Bottom Electrodes

著者

和文:	Mokhammad Sholihul Hadi.
英文:	Mokhammad Sholihul Hadi.

種別

種別:	学位論文(博士)
国名:	Japan

言語

English

学位授与組織

Tokyo Institute of Technology

報告番号

甲第10340号

学位授与日

2016/09/20

審査員

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