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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:InGaAs/AlAs triple-barrier p-i-n junction diode for realizing superlattice-based FET for steep slope 
著者
和文: 行待 篤志, 宮本 恭幸.  
英文: A. Yukimachi, Y. Miyamoto.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Jpn. J. Appl. Phys. 
巻, 号, ページ vol. 55    118004   
出版年月 2016年10月17日 
出版者
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会議名称
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開催地
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DOI https://doi.org/10.7567/JJAP.55.118004

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