Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文:68mV/decのSSを持つGaAsSb/InGaAs縦型ダブルゲートトンネルFET 
英文: 
著者
和文: 青沼遼介, 岩田真次郎, 木瀬信和, 宮本恭幸.  
英文: Ryousuke Aonuma, Shinjiro Iwata, Nobukazu Kise, YASUYUKI MIYAMOTO.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ         EDD-17-051
出版年月 2017年3月10日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:電気学会電子デバイス研究会 
英文: 
開催地
和文:栃木 
英文: 

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.