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論文・著書情報


タイトル
和文:HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響 
英文: 
著者
和文: 大澤一斗, 野口真司, 祢津誠晃, 木瀬信和, 宮本恭幸.  
英文: Kazuto Ohsawa, Shinji Noguchi, Netsu Seikou, Nobukazu Kise, YASUYUKI MIYAMOTO.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文:信学技報 
英文: 
巻, 号, ページ vol. 116    no. 431    pp. 35-40
出版年月 2017年1月27日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:電子情報通信学会電子デバイス研究会 
英文: 
開催地
和文:東京 
英文: 

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