Deposition Temperature and Al2O3 Thickness Dependence on the Mobility of HfO2/Al2O3/InGaAs Gate Stacks

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Deposition Temperature and Al2O3 Thickness Dependence on the Mobility of HfO2/Al2O3/InGaAs Gate Stacks

著者

和文:	大澤一斗, 木瀬信和, 宮本恭幸.
英文:	K. Ohsawa, N. Kise, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2016年9月28日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)

開催地

和文:
英文:	Tsukuba