ボトムゲート - ボトムコンタクトPh-BTBT-10 電解効果トランジスタのバイアス-ストレス評価

論文・著書情報

タイトル

和文:	ボトムゲート - ボトムコンタクトPh-BTBT-10 電解効果トランジスタのバイアス-ストレス評価
英文:	Bias-stress characterization of bottom gate, bottom contact Ph-BTBT-10 Field Effect Transistor

著者

和文:	國井正文, 飯野裕明, 半那純一.
英文:	Masafumi Kunii, Hiroaki Iino, Jun-ichi Hanna.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第64回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集
英文:	Extended Abstracts (The 64th JSAP Spring Meeting, 2017)

巻, 号, ページ

Vol. 2017春 pp. 16a-302-11

出版年月

2017年3月14日

出版者

和文:	応用物理学会
英文:	The Japan Society of Applied Physics

会議名称

和文:	第64回応用物理学会春季学術講演会
英文:	The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

開催地

和文:	神奈川県
英文: