Multi-level inverter by GaN HEMT on semi-insulating substrate

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Multi-level inverter by GaN HEMT on semi-insulating substrate

著者

和文:	仲順大吾, R. F. T. Fathulah, H. Fujita, E. Yagyu, 宮本恭幸.
英文:	D. Nakajun, R. F. T. Fathulah, H. Fujita, E. Yagyu, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

4-4

出版年月

2017年8月29日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2017)

開催地

和文:
英文:	Kirishima, Kagoshima