GaAsSb/InGaAs Double-Gate Vertical Tunnel FET with a Subthreshold Swing of 68mV/dec at Room Temperature

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	GaAsSb/InGaAs Double-Gate Vertical Tunnel FET with a Subthreshold Swing of 68mV/dec at Room Temperature

著者

和文:	木瀬信和, 岩田真次郎, 青沼遼介, 大澤一斗, 宮本恭幸.
英文:	N. Kise, S. Iwata, R. Aonuma, K. Ohsawa, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

C804

出版年月

2017年5月18日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Compound Semiconductor Week 2017

開催地

和文:
英文:	Berlin