Co2FeSi/MgO界面での酸素導入による垂直磁気異方性の発現

篠原 光貴; 鈴木 隆寛; 高村 陽太; 中川 茂樹

論文・著書情報

タイトル

和文:	Co2FeSi/MgO界面での酸素導入による垂直磁気異方性の発現
英文:	Perpendicular magnetic anisotropy induced by oxygen exposure at Co_2FeSi/MgO interfaces

著者

和文:	篠原光貴, 鈴木隆寛, 高村陽太, 中川茂樹.
英文:	Kouki Shinohara, Takahiro Suzuki, Yota Takamura, Shigeki Nakagawa.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	信学技報
英文:	IEICE Tech. Rep.

巻, 号, ページ

vol. 116 no. 125 pp. 19-24

出版年月

2017年7月1日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	磁気記録・情報ストレージ研究会（MR）
英文:	Technical Committee on Magnetic Recording (MR)

開催地

和文:	東京
英文:	Tokyo

公式リンク

http://www.ieice.org/ken/paper/201607086bjS/eng/

アブストラクト

強磁性トンネル接合素子（MTJ）に応用可能なスピン分極率が100％のハーフメタル強磁性体として期待されているCo基フルホイスラー合金Co_2FeSi(CFS)薄膜に対して，垂直磁気異方性を付与させることを試みた．CFS薄膜上にMgOを積層した構造において，CFSの膜厚を0.7 nm以下にすることで垂直磁気異方性を付与させることに成功した．またこの垂直磁気異方性の起源がCFS/MgO界面にあることを発見した．さらにCFSを成膜後，一定量の酸素曝露を行った後にMgOを積層した構造においては，従来のCFSとMgOの積層構造よりもCFS/MgO界面で強い垂直磁気異方性が生じ，より安定な垂直磁化膜が得られることを確認した．この酸素曝露プロセスの導入は界面状態を制御する手法の１つとして有効であり，ハーフメタル強磁性と垂直磁気異方性を同時に実現する強磁性薄膜の形成を可能にする．

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