Lasing characteristics of 1.3-µm npn-AlGaInAs transistor-laser with narrower-bandgap p-GaInAsP base layer on semi-insulating InP substrate

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Lasing characteristics of 1.3-µm npn-AlGaInAs transistor-laser with narrower-bandgap p-GaInAsP base layer on semi-insulating InP substrate

著者

和文:	吉冨翔一, 只野翔太郎, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久.
英文:	Shoichi Yoshitomi, Shotaro Tadano, Kentaro Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Japanese Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

Volume 57 Number 1 p. 012102

出版年月

2017年12月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI