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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:A Study on Atomic Layer Deposited SiO2 for SiC Gate Dielectrics 
著者
和文: LEIYIMING.  
英文: Lei Yiming.  
種別
種別:学位論文(博士) 
国名:Japan 
言語 English 
学位授与組織 Tokyo Institute of Technology 
報告番号 甲第10920号 
学位授与日 2018/06/30 
審査員  
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