ゲート付き4 端子法によるMoS2 FET の電気特性評価

論文・著書情報

タイトル

和文:	ゲート付き4 端子法によるMoS2 FET の電気特性評価
英文:	Gated Four-Probe Method for Evaluation of Electrical Characteristics in MoS2 Field-Effect Transistors

著者

和文:	大場智昭, 川那子高暢, 小田俊理.
英文:	T. Oba, T. Kawanago, S. Oda.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第79回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集
英文:	Extended abstracts of the 79th JSAP autumn meeting

巻, 号, ページ

出版年月

2018年9月18日

出版者

和文:	公益社団法人応用物理学会
英文:	The Japan Society of Applied Physics

会議名称

和文:	2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
英文:	The 79th JSAP Autumn Meeting,2018

開催地

和文:	愛知県名古屋市
英文:	Nagoya

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