Dependence of ohmic contact properties on AlGaN layer thickness for AlGaN/GaN high electron mobility transistors

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Dependence of ohmic contact properties on AlGaN layer thickness for AlGaN/GaN high electron mobility transistors

著者

和文:	武井優典, 筒井一生, Wataru Saito, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋.
英文:	Yusuke Takei, Kazuo Tsutsui, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Japanese Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

Vol. 55 No. 4

出版年月

2016年4月

出版者

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英文:

会議名称

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開催地

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