Effect of increasing gate capacitance on the performance of a p-MoS2/HfS2 van der Waals heterostructure tunneling field-effect transistor

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Effect of increasing gate capacitance on the performance of a p-MoS2/HfS2 van der Waals heterostructure tunneling field-effect transistor

著者

和文:	張文倫, 祢津誠晃, 金澤徹, 雨宮智宏, 宮本恭幸.
英文:	W Zhang, S. Netsu, T. Kanazawa, T. Amemiya, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys

巻, 号, ページ

58, SBBH02 (2019)

出版年月

2019年1月15日

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI