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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:GaAsSb/InGaAs double-gate vertical tunnel FET with a subthreshold slope of 56 mV/dec at room temperature 
著者
和文: 青沼 遼介, 木瀬 信和, 宮本 恭幸.  
英文: R. Aonuma, N. Kise, Y. Miyamoto.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Jpn. J. Appl. Phys. 
巻, 号, ページ         58, SBBA08 (2019)
出版年月 2019年3月14日 
出版者
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会議名称
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開催地
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DOI https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab027a

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