Annealing temperature dependence of alloy contact for N-polar GaN HEMT structure

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Annealing temperature dependence of alloy contact for N-polar GaN HEMT structure

著者

和文:	堀田航史, 富塚ゆみ子, 板垣光祐, I. Makabe, S. Yoshida, 宮本恭幸.
英文:	K. Hotta, Y. Tomizuka, K. Itagaki, I. Makabe, S. Yoshida, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2018年11月15日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)

開催地

和文:
英文:	Kanazawa