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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:N-polar GaN HEMT with Al2O3 gate insulator 
著者
和文: 早坂 明泰, 青沼 遼介, 堀田 航史, I. Makabe, S. Yoshida, 宮本 恭幸.  
英文: A. Hayasaka, R. Aonuma, K. Hotta, I. Makabe, S. Yoshida, Y. Miyamoto.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ         MoP-G-8 (Poster)
出版年月 2019年5月20日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:Compound Semiconductor Week 2019 
開催地
和文: 
英文:Nara 

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