GaN-based monolithic power integrated circuit technology with wide operating temperature on polarization-junction platform

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	GaN-based monolithic power integrated circuit technology with wide operating temperature on polarization-junction platform

著者

和文:	Nakajima, A., Nishizawa, S.-I., Ohashi, H., Kayanuma, R., Tsutsui, K., Kubota, S., Kakushima, K., 若林整, Iwai, H..
英文:	Nakajima, A., Nishizawa, S.-I., Ohashi, H., Kayanuma, R., Tsutsui, K., Kubota, S., Kakushima, K., Hitoshi Wakabayashi, Iwai, H..

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs

巻, 号, ページ

Vol. 2015-June pp. 357-360

出版年月

2015年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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DOI