Analysis of back-gate effect on threshold voltage of p-channel GaN MOSFETs on polarization-junction substrates

論文・著書情報

タイトル

和文:	Analysis of back-gate effect on threshold voltage of p-channel GaN MOSFETs on polarization-junction substrates
英文:	Analysis of back-gate effect on threshold voltage of p-channel GaN MOSFETs on polarization-junction substrates

著者

和文:	星井拓也, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生.
英文:	Takuya Hoshii, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	Japanese Journal of Applied Physics
英文:	Japanese Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

Vol. 58 No. 6 pp. 061006

出版年月

2019年6月1日

出版者

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会議名称

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開催地

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