Electronic structure of interstitial hydrogen in In-Ga-Zn-O semiconductor simulated by muon

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Electronic structure of interstitial hydrogen in In-Ga-Zn-O semiconductor simulated by muon

著者

和文:	小島健司, Masatoshi Hiraishi, Hirotaka Okabe, 幸田章宏, Rryosuke Kadono, 井手啓介, 松石聡, 雲見日出也, 神谷利夫, 細野秀雄.
英文:	Kenji M. Kojima, Masatoshi Hiraishi, Hirotaka Okabe, Akihiro Koda, Rryosuke Kadono, Keisuke Ide, Satoru Matsuishi, Hideya Kumomi, Toshio Kamiya, Hideo Hosono.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Applied Physics Letters

巻, 号, ページ

115 122104-1-5

出版年月

2019年9月17日

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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