Relaxation of Self-Heating-Effect for Stacked-Nanowire FET and p/n-Stacked 6T-SRAM Layout

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Relaxation of Self-Heating-Effect for Stacked-Nanowire FET and p/n-Stacked 6T-SRAM Layout

著者

和文:	安重英祐, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整.
英文:	Eisuke Anju, Iriya Muneta, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Journal of the Electron Devices Society (J-EDS)

巻, 号, ページ

vol. 8 pp. 1244-1250

出版年月

2018年11月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
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開催地

和文:
英文:

DOI