Improvement of SiO2/4H-SiC Interface properties by post-metallization annealing

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Improvement of SiO2/4H-SiC Interface properties by post-metallization annealing

著者

和文:	LEI YIMING, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, Masayuki Furuhashi, Shingo Tomohisa, 山川聡, 角嶋邦之.
英文:	Yiming Lei, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Masayuki Furuhashi, Shingo Tomohisa, Satoshi Yamakaw, Kuniyuki Kakushima.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Microelectronics Reliability

巻, 号, ページ

vol. 84 pp. 226-229

出版年月

2018年5月

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI