Nanometer-scale mapping of the strain and Ge content of Ge/Si quantum dots using enhanced Raman scattering by the tip of an atomic force microscope

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Nanometer-scale mapping of the strain and Ge content of Ge/Si quantum dots using enhanced Raman scattering by the tip of an atomic force microscope

著者

和文:	Ogawa, Y., Toizumi, T., 南不二雄, Baranov, A.V..
英文:	Ogawa, Y., Toizumi, T., FUJIO MINAMI, Baranov, A.V..

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

巻, 号, ページ

Vol. 83 No. 8 p. 081302

出版年月

2011年2月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
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開催地

和文:
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DOI