Solution-Processed Silicane Field-Effect Transistor: Operation Due to Stacking Defects on the Channel

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Solution-Processed Silicane Field-Effect Transistor: Operation Due to Stacking Defects on the Channel

著者

和文:	Hideyuki Nakano, Kenji Ito, Atsushi Miura, 真島豊.
英文:	Hideyuki Nakano, Kenji Ito, Atsushi Miura, Yutaka Majima.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Advanced Functional Materials

巻, 号, ページ

30 1908746 (6)

出版年月

2020年2月20日

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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英文:

DOI