Investigation of Polysilazane-Based SiO2 Gate Insulator for Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Investigation of Polysilazane-Based SiO2 Gate Insulator for Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors

著者

和文:	Huynh Thi Cam Tu, Satoshi Inoue, TRONG TUE PHAN, 宮迫毅明, 下田達也.
英文:	Huynh Thi Cam Tu, Satoshi Inoue, Phan Trong Tue, Takaaki Miyasako, Tatsuya Shimoda.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE Transactions on Electron Devices

巻, 号, ページ

Vol. 60 p. 1149

出版年月

2013年2月4日

出版者

和文:
英文:	IEEE

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: