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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Mechanism of trench defect formation in InGaN/GaN single quantum well grown on single-crystal GaN substrate 
著者
和文: 丹下 貴志, 松方 妙子, 三宮 工.  
英文: T. Tange, T. Matsukata, T. Sannomiya.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Applied Physics Express 
巻, 号, ページ Volume 13    Number 6    062004
出版年月 2020年5月4日 
出版者
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会議名称
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開催地
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