Influence of Interface ALD-SiO2 Layer for Lanthanum Silicate Gate Dielectrics for 4H-SiC MOS Capacitors

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Influence of Interface ALD-SiO2 Layer for Lanthanum Silicate Gate Dielectrics for 4H-SiC MOS Capacitors

著者

和文:	LEI YIMING, 金子喬, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之, M. Furuhashi, S. Tomohisa, 山川聡.
英文:	Y. M. Lei, T. Kaneko, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, K. Kakushima, M. Furuhashi, S. Tomohisa, S. Yamakawa.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2016年12月7日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2016)

開催地

和文:
英文:	San Diego