Monolithic Integration of GaN-based Normally-off P- and N-channel MOSFETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Monolithic Integration of GaN-based Normally-off P- and N-channel MOSFETs

著者

和文:	中島昭, 久保田俊介, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋, Sin-ichi Nishizawa, 大橋弘通.
英文:	Akira Nakajima, Shunsuke Kubota, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai, Sin-ichi Nishizawa, Hiromichi Ohashi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2016年8月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	13th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS)

開催地

和文:
英文:	Prague