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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Interface Properties La-Silicate MOS Capacitors with Tungsten Carbide Gate Electrode for Scaled EOT 
著者
和文: TUOKEDAERHAN KAMALE, R. Tan, 角嶋 邦之, AHMET PARHAT, 片岡 好則, 西山 彰, 杉井 信之, 筒井 一生, 名取 研二, 服部 健雄, 岩井 洋.  
英文: T. Kamale, R. Tan, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2012年10月7日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:PRiME 2012 
開催地
和文: 
英文:Honolulu, Hawaii. 

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