Schottky Barrier Height Modulation of Ni Silicide/Si Contacts by Insertion of Thin Er or Pt Layers

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Schottky Barrier Height Modulation of Ni Silicide/Si Contacts by Insertion of Thin Er or Pt Layers

著者

和文:	Yoshisa Ohishi, 野口浩平, 角嶋邦之, AHMET PARHAT, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	Yoshisa Ohishi, Kohei Noguchi, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Sugii, Takeo Hattori, Hiroshi Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2008年5月15日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	7th Int. Semiconductor Technology Conference (ECS-ISTC2008)

開催地

和文:
英文:	Shanghai