トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション

論文・著書情報

タイトル

和文:	トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション
英文:	Three-dimensional accurate TCAD simulation of trench-gate Si-IGBTs

著者

和文:	渡辺正裕, 執行直之, 星井拓也, 古川和由, 角嶋邦之, 佐藤克己, 末代知子, 更屋拓哉, 高倉俊彦, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 宗田伊里也, 若林整, 中島昭, 西澤伸一, 筒井一生, 平本俊郎, 大橋弘通, 岩井洋.
英文:	Masahiro Watanabe, Naoyuki Shigyo, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Kuniyuki Kakushima, Katsumi Satoh, Tomoko Matsudai, Takuya Saraya, Toshihiko Takakura, Kazuo Itou, Munetoshi Fukui, Shinichi Suzuki, Kiyoshi Takeuchi, Iriya Muneta, Hitoshi Wakabayashi, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Kazuo Tsutsui, Toshiro Hiramoto, Hiromichi Ohashi, Hiroshi Iwai.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 119 No. 273 pp. 45-48

出版年月

2019年11月

出版者

和文:	電子情報通信学会
英文:

会議名称

和文:	電子情報通信学会 SDM(シリコン材料・デバイス)研究会
英文:

開催地

和文:	東京
英文: