SiC MOSFET用の希土類ゲート絶縁膜に関する研究 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	SiC MOSFET用の希土類ゲート絶縁膜に関する研究
英文:	A Study on Rare Earth Gate Dielectrics for SiC MOSFET

著者

和文:	宋禛漢.
英文:	Jinhan Song.

種別

種別:	学位論文(博士)審査の要旨
国名:	Japan

言語

English

学位授与組織

Tokyo Institute of Technology

報告番号

甲第11929号

学位授与日

2021/03/26

審査員

ファイル

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