"吉冨翔一,只野翔太郎,山中健太郎,西山伸彦,荒井滋久","1.3 ?m帯トランジスタレーザにおける電流増幅率と 温度安定性の向上","電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2018年度1月研究会",,,,,,2018,Jan.
"Shoichi Yoshitomi,Shotaro Tadano,Kentaro Yamanaka,Nobuhiko Nishiyama,Shigehisa Arai","Lasing characteristics of 1.3-?m npn-AlGaInAs transistor-laser with narrower-bandgap p-GaInAsP base layer on semi-insulating InP substrate",,"Japanese Journal of Applied Physics",,"Volume 57","Number 1","p. 012102",2017,Dec.
"Kentarou Yamanaka,Shotaro Tadano,Shoichi Yoshitomi,Nobuhiko Nishiyama,SHIGEHISA ARAI","Base Layer Design for Voltage Modulation in 1.3-μm Wavelength npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers","The 24th Cogress of the International Commission for Optics(ICO-24)",,,"  M1J-06",,,2017,Aug.
"Shoichi Yoshitomi,Shotaro Tadano,Kentarou Yamanaka,Nobuhiko Nishiyama,SHIGEHISA ARAI","Thermal Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with Au Plating","The 24th Congress of the International Commission for Optics",,,,"  Th1J-07",,2017,Aug.
"Shoichi Yoshitomi,Shotaro Tadano,Kentarou Yamanaka,Nobuhiko Nishiyama,SHIGEHISA ARAI","Lasing Characteristics of  1.3-?m npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with Reduced Base Bandgap Structure","The 12th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2017)",,,,"No. 1-3G-5",,2017,July
"Kentarou Yamanaka,Shotaro Tadano,Shoichi Yoshitomi,Nobuhiko Nishiyama,SHIGEHISA ARAI","Effect of GaInAsP Absorption Layer Composition on Voltage Modulation in 1.3-μm Wavelength npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers","The 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM)",,,"  C2-2",,,2017,May
"山中健太郎,只野翔太郎,吉冨翔一,西山伸彦,荒井滋久","1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの電圧変調動作に向けたGaInAsP吸収層組成の検討","電子情報通信学会 2017年総合大会",,,,"No. C4-8",,2017,Mar.
"吉冨翔一,只野翔太郎,山中健太郎,西山伸彦,荒井滋久","p-GaInAsPベース層バンドギャップ低減による1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの電流増幅率の向上","第64回応用物理学会春季学術講演会",,,,"No. 15p-422-14",,2017,Mar.
"吉冨翔一,只野翔太郎,山中健太郎,西山伸彦,荒井滋久","1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける高速電圧変調動作に向けた電気的応答特性の解析","第78回応用物理学会秋季学術講演会",,,,"No. 6p-C14-16",,2017,Mar.
"吉冨翔一,只野翔太郎,山中健太郎,西山伸彦,荒井滋久","1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける熱特性の向上","電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2017年度4月研究会",,,,,,2017,
"Takaaki Kaneko,Takumi Yoshida,Shotaro Tadano,Nobuhiko Nishiyama,SHIGEHISA ARAI","Improvement in the current-gain of a 1.3-?m npn-AlGaInAs/InP transistor laser using a thin p-GaInAsP base layer",,"Japanese Journal of Applied Physics",,"Vol. 55","No. 7","pp. 070301-1-070301-4",2016,June
"Shotaro Tadano,Takaaki Kaneko,Kentarou Yamanaka,Nobuhiko Nishiyama,SHIGEHISA ARAI","Analysis of Voltage Dependence on Lasing Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers","The 28th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM)",,,,"No. ThD1-6",,2016,June
"山中健太郎,金子貴晃,只野翔太郎,西山伸彦,荒井滋久","1.3 μm 帯 npn-AlGaInAs/InP トラン ジスタレーザにおける 発振波長のコレクタ?ベース電圧依存性","電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2016年度4月研究会",,,,,,2016,Apr.
"只野翔太郎,金子貴晃,山中健太郎,西山伸彦,荒井滋久","1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける 光出力特性と電気特性の評価","電子情報通信学会 2016年総合大会",,,,"No. C4-4",,2016,Mar.
"只野翔太郎,金子貴晃,山中健太郎,西山伸彦,荒井滋久","埋め込みヘテロ構造を用いた1.3-?m帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの特性評価","電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2016年度1月研究会",,,"  LQE-5",,,2016,Jan.
"金子貴晃,吉田匠,只野翔太郎,西山伸彦,荒井滋久","1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおけるコレクタ-ベース間電圧変調動作特性","電子情報通信学会 2015年ソサイエティ大会",,,,"No. C4-2",,2015,Sept.
"只野翔太郎,吉田匠,金子貴晃,西山伸彦,荒井滋久","薄膜化したp-GaInAsPベース層を有する 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性","第76回応用物理学会秋季学術講演会",,,,"No. 16p-2E-3",,2015,Sept.
"Takaaki Kaneko,Takumi Yoshida,Shotaro Tadano,Nobuhiko Nishiyama,SHIGEHISA ARAI","Dynamic Behavior of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers under Collector-Base Voltage Loss-modulation","The 11th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2015)",,,,"No. 26J2-2",,2015,Aug.
"Takaaki Kaneko,Takumi Yoshida,Shotaro Tadano,Nobuhiko Nishiyama,Shigehisa Arai","Lasing Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with Thin Current Injection Base Layer","Compound Semiconductor Week 2015, 27th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.",,,,"No. O6.4",,2015,June
"只野翔太郎,吉田匠,金子貴晃,西山伸彦,荒井滋久","1.3 μm 帯 npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザにおける ベース層薄膜化によるキャリア引き抜き量の向上","電子情報通信学会 光エレクトロニクス（OPE）研究会 2015年度4月研究会",,,"  P2","  7",,2015,Apr.