国際会議発表 (査読有り)

• Takeya Inoue, Takuya Hoshii, Takuo Kikuchi, Hidehiko Yabuhara, Kazuyuki Ito, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai, Junichi Tonotani, Kazuo Tsutsui. Fundamental study on reducing on-resistance by introducing strain into silicon vertical power devices, 3rd Electron Devices Technology and Manufactureing Conference (EDTM2019), Mar. 2019.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 井上 毅哉, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 若林 整, 岩井 洋, 筒井 一生. シリコン縦型パワーデバイスへのひずみ導入によるオン抵抗低減の研究, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2019.
• 井上 毅哉, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 若林 整, 岩井 洋, 筒井 一生. シリコン縦型パワーデバイスへのひずみ導入によるオン抵抗低減の基礎的検討, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2018.

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