国際会議発表 (査読有り)

• T. Ouchi, L. Nakamura, K. Takemura, M. Shimura, R. Ushioda, T. Iimori, F. Komori, H. Hirayama, K. Nakatsuji. Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on n-type Si(111)√3×√3-B substrates, 13th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices (ALC’21), Oct. 2021.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 大内拓実, 長尾俊祐, 中村玲雄, 竹村晃一, 志村舞望, 潮田亮太, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態における基板依存性, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2022.
• 大内拓実, 中村玲雄, 竹村晃一, 志村舞望, 潮田亮太, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Si(111)√3×√3-B表面上のBi(110)超薄膜の電子状態, 2021年日本表面真空学会学術講演会, Nov. 2021.
• 中村玲雄, 勝俣錬, 潮田亮太, 大内拓実, 小森文夫, 飯盛拓嗣, 平山博 之, 中辻寛. n-type Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2021.
• 勝俣錬, 中村玲雄, 金野達, 木村彰博, 大内拓実, 永友慶, 田中和也, 下川裕理, 小澤健一, 間瀬一彦, 小森文夫, 飯盛拓嗣, 平山博之, 中辻寛. Si(111)√3×√3-(Bi,In)表面の電子状態, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2021.
• 金野達, 勝俣錬, 木村彰博, 中村玲雄, 諸貫亮太, 山崎詩郎, 小澤健一, 間瀬一彦, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Si(110)3×2-Bi表面の電子状態, 2020年日本表面真空学会学術講演会, Nov. 2020.
• 金野達, 勝俣錬, 木村彰博, 中村玲雄, 山崎詩郎, 小澤健一, 間瀬一彦, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Si(110)3x2-Bi表面の電子状態, 日本物理学会第75回年次大会, Mar. 2020.

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