論文

• Toru Kanazawa, kazuya wakabayashi, Hisashi Saito, Ryousuke Terao, Shunsuke Ikeda, YASUYUKI MIYAMOTO, KAZUHITO FURUYA. Submicron InP/InGaAs Composite-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor with Selectively Regrown n+-Source, Applied Physics Express, Vol. 3, No. 9, 094201, Sept. 2010.

国際会議発表 (査読有り)

• T. Kanazawa, K. Wakabayashi, H. Saito, R. Terao, T. Tajima, S. Ikeda, Y. Miyamoto, K. Furuya. Submicron InP/InGaAs composite channel MOSFETs with selectively regrown n+-source/drain buried in channel undercut, 22nd Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, June 2010.
• Toru Kanazawa, Hisashi Saito, Kazuya Wakabayashi, Ryousuke Terao, Tomonori Tajima, YASUYUKI MIYAMOTO, KAZUHITO FURUYA. Fabrication of InP/InGaAs Undoped Channel MOSFET with Selectively Regrown N⁺-InGaAs Source Region, 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 246-247, Oct. 2009.
• Toru Kanazawa, KAZUHITO FURUYA, YASUYUKI MIYAMOTO, Hisashi Saito, kazuya wakabayashi, Tomonori Tajima. InP/InGaAs-channel MOSFET with MOVPE Selective Regrown Source, IEEE 21th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, May 2009.
• T. Kanazawa, H. Saito, K. Wakabayashi, Y. Miyamoto, K. Furuya. Lateral Buried Growth of N+-InGaAs Source/Drain Region to Undercut InGaAs Channel Structure for High Drive Current N-type MOSFET, 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sept. 2008.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• K. Wakabayashi, T. Kanazawa, H. Saito, R. Terao, S. Ikeda, Y. Miyamoto, K. Furuya. InP/In0.53Ga0.47As composite channel n-MOSFETwith heavily dopedregrown source/drain structure, Int. Symposium on Silicon Nano Devices in 2030, Oct. 2009.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 若林和也, 金澤 徹, 齋藤尚史, 寺尾良輔, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁. 再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs nMOSFETの電流電圧特性, 第57回応用物理学関係連合研究会, Mar. 2010.
• 金澤 徹, 若林和也, 齋藤尚史, 寺尾良輔, 田島智宣, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁. III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET, 電気学会電子デバイス研究会, Mar. 2010.
• 寺尾良輔, 金澤 徹, 齋藤尚史, 若林和也, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁. Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsチャネル n-MOSFETの電気特, 第57回応用物理学関係連合研究会, Mar. 2010.
• 金澤徹, 若林和也, 齋藤尚史, 寺尾良輔, 田島智宣, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁. Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET, 電子情報通信学会 電子デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告 電子デバイス, Vol. 109, No. 360, pp. 39-42, Jan. 2010.
• 若林 和也, 金澤 徹, 齋藤 尚史, 田島 智宣, 寺尾 良輔, 宮本 恭幸, 古屋 一仁. 再成長ソースを有するアンドープチャネルInP/InGaAs MOSFETの電流特性, 第70回応用物理学会学術講演会, pp. 1299, Sept. 2009.
• 金澤徹, 齋藤尚史, 若林和也, 田島智宣, 宮本恭幸, 古屋一仁. MOVPE再成長n⁺ソースを有するⅢ-Ⅴ族高移動度チャネルMOSFET, 電気学会 電子・情報・システム部門大会, Sept. 2009.
• 若林和也, 金澤 徹, 齋藤尚史, 田島智宣, 寺尾良輔, 宮本恭幸, 古屋一仁. 「再成長ソースを有するアンドープチャネルInP/InGaAs MOSFETの電流特性, 第70回応用物理学会学術講演会, Sept. 2009.
• 金澤徹, 古屋一仁, 宮本恭幸, 齋藤尚史, 若林和也, 田島智宣. MOVPE再成長ソースを有するIII-V族MOSFETの電流特性, 第56回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2009.
• 金澤徹, 古屋一仁, 宮本恭幸, 齋藤尚史, 若林和也, 田島智宣. Ⅲ-Ⅴ族高駆動能力MOSFETへ向けたn⁺-InGaAsソース/ドレイン層の横方向埋め込み成長, 第69回応用物理学会学術講演会, Sept. 2008.

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