国際会議発表 (査読有り)

• Kei Nagatomo, N. Morii, K. Takemura, T. Iimori, F. Komori, H. Hirayama, K. Nakatsuji. Electronic structure of PdCu surface alloy, 13th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices (ALC’21), Oct. 2021.
• N. Morii, K. Nagatomo, K. Takemura, T. Ouchi, H. Uryu, S. Nagao, R. Kawazoe, T. Iimori, F. Komori, H. Hirayama, K. Nakatsuji. Electronic structure of Cu(001)c(4×2)-Bi surface, 13th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices (ALC’21), Oct. 2021.
• T. Ouchi, L. Nakamura, K. Takemura, M. Shimura, R. Ushioda, T. Iimori, F. Komori, H. Hirayama, K. Nakatsuji. Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on n-type Si(111)√3×√3-B substrates, 13th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices (ALC’21), Oct. 2021.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 竹村晃一, 片野達貴, 河添理央, Insung Seo, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 小澤健一, 間瀬一彦, 合田義弘, 平山博之, 中辻寛. SiC(0001)基板上に成長したグラフェンへのFeインターカレーション, 日本物理学会2023年春季大会, Mar. 2023.
• 永友慶, 森井七生, 竹村晃一, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. PdCu表面合金層の電子構造と水素曝露が及ぼす影響, Mar. 2022.
• 森井七生, 永友慶, 竹村晃一, 河添理央, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Cu(001)c(4×2)-Bi表面の構造形成と電子状態, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2022.
• 大内拓実, 長尾俊祐, 中村玲雄, 竹村晃一, 志村舞望, 潮田亮太, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態における基板依存性, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2022.
• 森井七生, 永友慶, 竹村晃一, 大内拓実, 瓜生瞳美, 長尾俊佑, 河添理央, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Cu(001)c(4×2)-Bi表面の電子状態, 2021年日本表面真空学会学術講演会, Nov. 2021.
• 大内拓実, 中村玲雄, 竹村晃一, 志村舞望, 潮田亮太, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Si(111)√3×√3-B表面上のBi(110)超薄膜の電子状態, 2021年日本表面真空学会学術講演会, Nov. 2021.

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