論文

• M. Kashiwano, J. Hirai, S. Ikeda, M. Fujimatsu, Y. Miyamoto. High Open-Circuit Voltage Gain in Vertical InGaAs Channel Metal–Insulator–Semiconductor Field-Effect Transistor Using Heavily Doped Drain Region and Narrow Channel Mesa, JPN. J. APPL. PHYS., vol. 54, no. 4, issue 2, 2013.
• Atsushi Kato, Toru Kanazawa, Shunsuke Ikeda, Yosiharu Yonai, Yasuyuki Miyamoto. Reduction of access resistance of InP/InGaAs composite-channel MOSFET with back source electrode, IEICE Trans. Electron., vol. E95-C, no. 5, pp. 904-919, May 2012.
• R. Terao, T. Kanazawa, S. Ikeda, Y. Yonai, A. Kato, Y. Miyamoto. InP/InGaAs Composite MOSFETs with Regrown Source and Al2O3 gate dielectric Exhibiting Maximum Drain Current Exceeding 1.3 mA/μm, Applied Phys. Exp., The Japan Society of Applied Physics, vol. 4, no. 5, 054201, Apr. 2011.
• Toru Kanazawa, kazuya wakabayashi, Hisashi Saito, Ryousuke Terao, Shunsuke Ikeda, YASUYUKI MIYAMOTO, KAZUHITO FURUYA. Submicron InP/InGaAs Composite-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor with Selectively Regrown n+-Source, Applied Physics Express, Vol. 3, No. 9, 094201, Sept. 2010.

国際会議発表 (査読有り)

• M. Kashiwano, J. Hirai, S. Ikeda, M. Fujimatsu, Y. Miyamoto. High Open Circuit Voltage Gain in Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor using Heavily Doped Drain Region and Narrow Channel Mesa, 2012 International Conference on. Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Sept. 2012.
• Jun Hirai, Tomoki Kususaki, Shunsuke Ikeda, YASUYUKI MIYAMOTO. Vertical InGaAs MOSFET with HfO2 gate, 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD 2012), 2012.
• T. Kanazawa, R. Terao, S. Ikeda, Y. Miyamoto. MOVPE-regrown source/drain regions for III-V MOSFETs with high drain current of 1.28 A/mm, 23rd Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011), Sept. 2011.  公式リンク  
  
• A. Kato, T. Kanazawa, S. Ikeda, Y. Yonai, YASUYUKI MIYAMOTO. Reduction of Access Resistance of InP/InGaAs Composite-Channel MOSFET with A Back Source Electrode, 2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices（AWAD), Sept. 2011.  公式リンク  
  
• Yosiharu Yonai, Toru Kanazawa, Shunsuke Ikeda, YASUYUKI MIYAMOTO. High Drain Current (>2A/mm) InGaAs channel MOSFET at VD=0.5V with Shrinkage of Channel Length by InP Anisotropic Etching, 2011 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2011), 2011.
• Toru Kanazawa, Ryousuke Terao, Yuutarou Yamaguchi, Shunsuke Ikeda, Yosiharu Yonai, YASUYUKI MIYAMOTO. InP/InGaAs MOSFET with Back-Electrode Structure Bonded on Si Substrate Using a BCB Adhesive Layer, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 129-130, Sept. 2010.
• T. Kanazawa, K. Wakabayashi, H. Saito, R. Terao, T. Tajima, S. Ikeda, Y. Miyamoto, K. Furuya. Submicron InP/InGaAs composite channel MOSFETs with selectively regrown n+-source/drain buried in channel undercut, 22nd Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, June 2010.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• K. Wakabayashi, T. Kanazawa, H. Saito, R. Terao, S. Ikeda, Y. Miyamoto, K. Furuya. InP/In0.53Ga0.47As composite channel n-MOSFETwith heavily dopedregrown source/drain structure, Int. Symposium on Silicon Nano Devices in 2030, Oct. 2009.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 柏野壮志, 平井準, 池田俊介, 藤松基彦, 宮本恭幸. 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型 InGaAs チャネル MISFET の高電圧利得化, 第 73 回応用物理学会学術講演会, Sept. 2012.
• 柏野壮志, 平井準, 池田俊介, 藤松基彦, 宮本恭幸. 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化, 電子情報通信学会技術研究報告, May 2012.
• 柏野壮志, 平井準, 池田俊介, 藤松基彦, 宮本恭幸. GaN HEMT のソース・ドレイン間容量のデバイスシミュレーションによる解析, 電子情報通信学会2011年総合大会, Mar. 2012.
• 米内義晴, 金澤徹, 池田俊介, 宮本恭幸. InPエッチング異方性による微細InGaAsチャネルMOSFET, 応用物理学会 2012年度春季大会, Mar. 2012.
• 池田俊介, 金澤徹, 宮本恭幸. 電子ランチャを持つInGaAs MOSFETにおけるヘテロ障壁高さ依存性, 電子情報通信学会2011年ソサイエティ大会, Sept. 2011.
• 金澤 徹, 寺尾 良輔, 山口 裕太郎, 池田 俊介, 米内 義晴, 加藤 淳, 宮本 恭幸. 裏面電極を有するⅢ－Ⅴ族量子井戸型チャネルMOSFET, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, Jan. 2011.
• 金澤徹, 寺尾良輔, 山口裕太郎, 池田俊介, 米内義晴, 加藤淳, 宮本恭幸. Si基板上貼付された裏面電極付InP/InGaAs MOSFET, 第71回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 寺尾良輔, 金澤徹, 池田俊介, 米内義晴, 加藤淳, 宮本恭幸. Al2O3ゲート絶縁膜および再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs n-MOSFET, 第71回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 寺尾良輔, 金澤 徹, 齋藤尚史, 若林和也, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁. Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsチャネル n-MOSFETの電気特, 第57回応用物理学関係連合研究会, Mar. 2010.
• 若林和也, 金澤 徹, 齋藤尚史, 寺尾良輔, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁. 再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs nMOSFETの電流電圧特性, 第57回応用物理学関係連合研究会, Mar. 2010.
• 金澤 徹, 若林和也, 齋藤尚史, 寺尾良輔, 田島智宣, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁. III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET, 電気学会電子デバイス研究会, Mar. 2010.
• 金澤徹, 若林和也, 齋藤尚史, 寺尾良輔, 田島智宣, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁. Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET, 電子情報通信学会 電子デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告 電子デバイス, Vol. 109, No. 360, pp. 39-42, Jan. 2010.

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