@article{CTT100722903,
  author = {Takaaki Kaneko and Takumi Yoshida and Shotaro Tadano and Nobuhiko Nishiyama and SHIGEHISA ARAI},
  title = {Improvement in the current-gain of a 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP transistor laser using a thin p-GaInAsP base layer},
  journal = {Japanese Journal of Applied Physics},
  year = 2016,
}

@inproceedings{CTT100722896,
  author = {Shotaro Tadano and Takaaki Kaneko and Kentarou Yamanaka and Nobuhiko Nishiyama and SHIGEHISA ARAI},
  title = {Analysis of Voltage Dependence on Lasing Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers},
  booktitle = {},
  year = 2016,
}

@inproceedings{CTT100703865,
  author = {山中健太郎 and 金子貴晃 and 只野翔太郎 and 西山伸彦 and 荒井滋久},
  title = {1.3 μm 帯 npn-AlGaInAs/InP トラン ジスタレーザにおける 発振波長のコレクタ－ベース電圧依存性},
  booktitle = {},
  year = 2016,
}

@inproceedings{CTT100703864,
  author = {只野翔太郎 and 金子貴晃 and 山中健太郎 and 西山伸彦 and 荒井滋久},
  title = {1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける 光出力特性と電気特性の評価},
  booktitle = {},
  year = 2016,
}

@inproceedings{CTT100703860,
  author = {只野翔太郎 and 金子貴晃 and 山中健太郎 and 西山伸彦 and 荒井滋久},
  title = {埋め込みヘテロ構造を用いた1.3-µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの特性評価},
  booktitle = {},
  year = 2016,
}

@inproceedings{CTT100696263,
  author = {金子貴晃 and 吉田匠 and 只野翔太郎 and 西山伸彦 and 荒井滋久},
  title = {1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおけるコレクタ-ベース間電圧変調動作特性},
  booktitle = {},
  year = 2015,
}

@inproceedings{CTT100696264,
  author = {金子貴晃 and 西山伸彦 and 荒井滋久},
  title = {量子ドットレーザによる1.3 μm帯伝送最適化マルチモードファイバ伝送特性における励起位置依存性},
  booktitle = {},
  year = 2015,
}

@inproceedings{CTT100696732,
  author = {只野翔太郎 and 吉田匠 and 金子貴晃 and 西山伸彦 and 荒井滋久},
  title = {薄膜化したp-GaInAsPベース層を有する 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性},
  booktitle = {},
  year = 2015,
}

@inproceedings{CTT100696262,
  author = {Takaaki Kaneko and Takumi Yoshida and Shotaro Tadano and Nobuhiko Nishiyama and SHIGEHISA ARAI},
  title = {Dynamic Behavior of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Lasers under Collector-Base Voltage Loss-modulation},
  booktitle = {},
  year = 2015,
}

@inproceedings{CTT100696261,
  author = {Takaaki Kaneko and Takumi Yoshida and Shotaro Tadano and Nobuhiko Nishiyama and Shigehisa Arai},
  title = {Lasing Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with Thin Current Injection Base Layer},
  booktitle = {},
  year = 2015,
}

@inproceedings{CTT100687405,
  author = {只野翔太郎 and 吉田匠 and 金子貴晃 and 西山伸彦 and 荒井滋久},
  title = {1.3 μm 帯 npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザにおける ベース層薄膜化によるキャリア引き抜き量の向上},
  booktitle = {},
  year = 2015,
}

@inproceedings{CTT100687404,
  author = {Takumi Yoshida and Takaaki Kaneko and Masashi Yukinari and Nobuhiko Nishiyama and SHIGEHISA ARAI},
  title = {Lasing characteristics of 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser - dependence of the base layer structure},
  booktitle = {},
  year = 2014,
}

@inproceedings{CTT100687397,
  author = {金子貴晃 and 行成元志 and 吉田匠 and 西山伸彦 and 荒井滋久},
  title = {1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける ベース層構造の変更による発振特性の改善},
  booktitle = {},
  year = 2014,
}

@inproceedings{CTT100687395,
  author = {金子貴晃 and 行成元志 and 吉田匠 and 西山伸彦 and 荒井滋久},
  title = {1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザ発振特性の ベース層構造依存性},
  booktitle = {},
  year = 2014,
}

@inproceedings{CTT100687400,
  author = {吉田匠 and 行成元志 and 金子貴晃 and 西山伸彦 and 荒井滋久},
  title = {ベース層の広禁制帯幅化による1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性改善},
  booktitle = {},
  year = 2014,
}