論文

• T. Aota, A. Hayasaka, I. Makabe, S. Yoshida, T. Gotow, Y. Miyamoto. Wet etching for isolation of N-polar GaN HEMT structure by electrodeless photo-assisted electrochemical reaction, Japanese Journal of Applied Physics, 60, SCCF06, Mar. 2021.

国際会議発表 (査読有り)

• Tomoya Aota, Akihiro Hayasaka, isao makabe, Shigeki Yoshida, Takahiro Gotow, YASUYUKI MIYAMOTO. Wet Etching for Isolation of N-polar GaN HEMT Structure by Electrodeless Photo-Assisted Electrochemical Reaction, 33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2020), Nov. 2020.
• A. Hayasaka, R. Aonuma, K. Hotta, I. Makabe, S. Yoshida, Y. Miyamoto. N-polar GaN HEMT with Al2O3 gate insulator, Compound Semiconductor Week 2019, MoP-G-8 (Poster), May 2019.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 青田 智也, 早坂 明泰, 眞壁 勇夫, 吉田 成輝, 後藤 高寛, 宮本 恭幸. N極性GaN HEMT構造での無電極PECエッチング, 第81回 応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2020.
• 毛利 匡裕, 早坂 明泰, 眞壁 勇夫, 吉田 成輝, 後藤 高寛, 宮本 恭幸. N極性GaN HEMT構造におけるコンタクト抵抗の低減, 第67回 応用物理学会 春季学術講演会, 12p-B401-12, Mar. 2020.
• 早坂 明泰, 青沼 遼介, 堀田 航史, 金井 七重, 眞壁 勇夫, 吉田 成輝, 宮本 恭幸. N極性GaN HEMT作製プロセスにおけるプラズマダメージの低減, 第80回 応用物理学会 秋季学術講演会, 18p-N302-11, Sept. 2019.
• 早坂 明泰, 青沼 遼介, 堀田 航史, 眞壁 勇夫, 吉田 成輝, 宮本 恭幸. Al2O3ゲート絶縁膜を持つN極性GaN HEMT, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 9p-M121-13, Mar. 2019.

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