国際会議発表 (査読有り)

• H.Kinoshita, S.Netsu, Y.mishima, T.Kanazawa, Y.Miyamoto. Fabrication of InGaAs channel multi-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain, 11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015), Aug. 2015.
• K. Ohsawa, Y. Mishima, Y. Miyamoto. Operation of 13-nm channel length InGaAs-MOSFET with n-InP source, 27th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, July 2015.
• Y. Mishima, T. Kanazawa, H. Kinoshita, E. Uehara, Y. Miyamoto. InGaAs tri-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain, 72nd Device Research Conference (DRC), June 2014.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, K. Ohsawa, Y. Mishima, M. Fujimatsu, K. Ohashi, S. Nestu, S. Iwata. InGaAs channel for low supply voltage, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sept. 2015.
• Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, K. Ohsawa, Y. Mishima, T. Irisawa, M. Oda, T. Tezuka. (Invited) Growth Process for High Performance of InGaAs MOSFETs, 72nd Device Research Conference (DRC), June 2014.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 木下 治紀, 金澤 徹, 祢津 誠晃, 三嶋 裕一, 宮本 恭幸. 再成長ソース/ドレインを有するInGaAsマルチゲートMOSFET作製プロセス, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 16a-1C-9, Sept. 2015.
• 木下 治紀, 金澤 徹, 祢津 誠晃, 三嶋 裕一, 宮本 恭幸. 再成長ソース/ドレインを有するInGaAsマルチゲートMOSFET作製プロセスに関する研究, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.
• 大澤 一斗, 三嶋 裕一, 宮本 恭幸. InGaAs-MOSFETのチャネル長微細化に関する研究, 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015.
• 三嶋裕一, 金澤徹, 木下治紀, 上原英治, 宮本恭幸. 再成長ソース/ドレインを有するInGaAsチャネルトライゲートMOSFET, 第61回春季応用 物理学会学術講演会, Mar. 2014.
• 金澤徹, 三嶋裕一, 木下治紀, 上原英治, 宮本恭幸. MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET, 電子情報通信学 会 電子デバイス研究会, IEICE technical report, Jan. 2014.

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