論文

• Y. Kuroiwa, Y. Matsushita, K. Harada, F. Oba. Theoretical prediction of strain-induced carrier effective mass modulation in 4H-SiC and GaN, Applied Physics Letters, vol. 115, pp. 112102, Aug. 2019.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Yuichiro Kuroiwa, Yu-ichiro Matsushita, Kou Harada, Fumiyasu Oba. Strain-induced carrier effective mass modulation in 4H-SiC and GaN: A first-principles study, The 11th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-11), July 2019.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 黒岩祐一郎, 松下雄一郎, 大場史康. 計算材料データベースを用いたスピンバレーホール効果を示す多バレー三次元物質の探索, 第29回日本MRS年次大会, Nov. 2019.
• 黒岩祐一郎, 松下雄一郎, 大場史康. データベースを用いたスピンバレーホール効果を示す三次元物質の探索, 日本物理学会第74回年次大会, Mar. 2019.
• 黒岩祐一郎, 松下雄一郎, 大場史康. 第一原理計算に基づく4H-SiCの格子歪みによる電子・正孔の有効質量への影響の解明, 先進パワー半導体分科会 第5回講演会, Nov. 2018.

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