|
|
潮田亮太 研究業績一覧 (18件)
論文
-
T. Shirasawa,
W. Voegeli,
E. Arakawa,
R. Ushioda,
K. Nakatsuji,
H. Hirayama.
Structural transition at the subsurface of few-layer Bi(110) film during the growth,
Physical Review Materials..,
Volume 7,
033404,
Mar. 2023.
-
M. Shimura,
T. Shirasawa,
R. Ushioda,
K. Nakatsuji,
H. Hirayama.
Growth kinetics of a perfectly flat Bi(110) film during low-temperature deposition and subsequent annealing,
Surface Science,
Volume 728,
122210,
Feb. 2023.
-
R. Ushioda,
M. Shimura,
K. Nakatsuji,
H. Hirayama.
Growth-rate dependence of the structural transition of bismuth islands on Si(111) substrates,
Physical Review Materials,
Vol. 6,
p. 043403(10pages),
Apr. 2022.
-
Kentaro Nagase,
Ryota Ushioda,
Kan Nakatsuji,
Tetsuroh Shirasawa,
Hiroyuki Hirayama.
Growth of extremely flat Bi(110) films on a Si(111)√3 × √3-B substrate,
Applied Physics Express,
Vol. 13,
p. 085506 (4 pages),
July 2020.
国際会議発表 (査読有り)
-
Naoki Sasagawa,
Ryota Ushioda,
Kan Nakatsuji,
Hiroyuki Hirayama.
Structure of Bi(111) terraces nucleated on the Bi(110) island,
The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS9),
Nov. 2021.
-
Maimi Shimura,
Ryota Ushioda,
Kan Nakatsuji,
Hiroyuki Hirayama.
Nucleation of ultrathin Bi(110) film on the Si(111)√3×√3-B substrate in the two step growth,
The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS9),
Nov. 2021.
-
T. Ouchi,
L. Nakamura,
K. Takemura,
M. Shimura,
R. Ushioda,
T. Iimori,
F. Komori,
H. Hirayama,
K. Nakatsuji.
Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on n-type Si(111)√3×√3-B substrates,
13th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices (ALC’21),
Oct. 2021.
国内会議発表 (査読なし・不明)
-
大内拓実,
長尾俊祐,
中村玲雄,
竹村晃一,
志村舞望,
潮田亮太,
飯盛拓嗣,
小森文夫,
平山博之,
中辻寛.
Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態における基板依存性,
日本物理学会第76回年次大会,
Mar. 2022.
-
志村舞望,
潮田亮太,
中辻寛,
平山博之.
二段階成長における平坦な黒燐構造Bi(110)超薄膜の成長過程,
日本物理学会第76回年次大会,
Mar. 2022.
-
大内拓実,
中村玲雄,
竹村晃一,
志村舞望,
潮田亮太,
飯盛拓嗣,
小森文夫,
平山博之,
中辻寛.
Si(111)√3×√3-B表面上のBi(110)超薄膜の電子状態,
2021年日本表面真空学会学術講演会,
Nov. 2021.
-
笹川直希,
潮田亮太,
中辻寛,
平山博之.
Si(111)7×7基板上に低温蒸着させたビスマス超薄膜の構造相転移の臨界点におけるBi(111)テラスの構造,
日本物理学会2021年秋季大会,
Sept. 2021.
-
志村舞望,
潮田亮太,
中辻寛,
平山博之.
Si基板上における低温蒸着した黒燐構造Bi超薄膜の室温アニールによる成長過程,
日本物理学会2021年秋季大会,
Sept. 2021.
-
白澤 徹郎,
潮田 亮太,
中辻 寛,
平山 博之.
表面X線散乱による低温蒸着した黒燐構造Bi超薄膜の成長過程観察,
日本物理学会第76回年次大会,
Mar. 2021.
-
中村玲雄,
勝俣錬,
潮田亮太,
大内拓実,
小森文夫,
飯盛拓嗣,
平山博 之,
中辻寛.
n-type Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態,
日本物理学会第76回年次大会,
Mar. 2021.
-
潮田 亮太,
志村 舞望,
笠井 大雅,
笹川 直希,
長瀬 謙太郎,
中辻 寛,
平山 博之.
黒燐構造Bi 超薄膜の成長過程と構造相転移の蒸着レート制御,
日本物理学会第76回年次大会,
Mar. 2021.
-
志村 舞望,
潮田 亮太,
中辻 寛,
平山 博之.
Si(111)表面上における黒リン構造Bi(110)超薄膜の低温蒸着による成長過程,
日本物理学会第76回年次大会,
Mar. 2021.
-
白澤徹郎,
Wolfgang Voegeli,
荒川悦雄,
高橋敏男,
潮田亮太,
中辻寛,
平山博之.
変形黒鱗構造Bi超薄膜の原子スケール成長機構解析,
日本物理学会2020年秋季大会,
Sept. 2020.
-
潮田亮太,
長瀬謙太郎,
荻野嵩大,
車尾ヴァレンティン基,
中辻 寛,
白澤 徹郎,
平山 博之.
Si(111)7×7 基板上における奇数層高さBi(110)島の出現,
日本物理学会第75回年次大会,
Mar. 2020.
[ BibTeX 形式で保存 ]
[ 論文・著書をCSV形式で保存
]
[ 特許をCSV形式で保存
]
|
各種検索
サポート
ヘルプ
