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長瀬謙太郎 研究業績一覧 (24件)
論文
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Kentaro Nagase,
Ryota Ushioda,
Kan Nakatsuji,
Tetsuroh Shirasawa,
Hiroyuki Hirayama.
Growth of extremely flat Bi(110) films on a Si(111)√3 × √3-B substrate,
Applied Physics Express,
Vol. 13,
p. 085506 (4 pages),
July 2020.
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Kentaro Nagase,
Ikuya Kokubo,
Shiro Yamazaki,
Kan Nakatsuji,
Hiroyuki Hirayama.
Structure and growth of Bi(110) islands on Si(111)Root3xRoot3-B substrates,
Physical Review B,
vol. 97,
p. 195418 (8 pages),
May 2018.
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Kishu Sugawara,
Kentaro Nagase,
Shiro Yamazaki,
Kan Nakatsuji,
Hiroyuki Hirayama.
Interaction of Stark-shifted image potential states with quantum well states in ultrathin Ag(111) islands on Si(111)Root3xRoot3-B substrates,
Physical Review B,
vol. 96,
p. 075444,
Aug. 2017.
国際会議発表 (査読有り)
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K. Nagase,
S. Yamazaki,
K. Nakatsuji,
H. Hirayama.
Structural change of Bi ultrathin films in the two-step growth on Si(111)√3 x √3-B substrates,
12th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC-19),
Oct. 2019.
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K. Nagase,
I. Kokubo,
S. Yamazaki,
K. Nakatsuji,
H. Hirayama.
Atomic Structure and Growth of Bi(110) Islands on Si(111)Root3×Root3-B Substrates,
14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14),
Oct. 2018.
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K. Nakatsuji,
Y. Shimokawa,
T. Fujiwara,
K. Nagase,
S. Yamazaki,
Y. Watanabe,
K. Mase,
K. Takahashi,
H. Hirayama.
Electronic Structure of Bi(110) Islands Grown on a Si(111)Root3×Root3-B Substrate,
14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14),
Oct. 2018.
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Y. Shimokawa,
T. Fujiwara,
K. Nagase,
S. Yamazaki,
Y. Watanabe,
M. Nakatake,
K. Mase,
K. Takahashi,
K. Nakatsuji,
H. Hirayama.
Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on Si(111)Root3×Root3-B surfaces,
The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8),
Oct. 2017.
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K. Sugawara,
K. Nagase,
S. Yamazaki,
K. Nakatsuji,
H. Hirayama.
Interaction of Image-Potential States with Quantum-Well State in Ultra-thin Ag(111) films on Si(111)Root3xRoot3-B substrate,
The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8),
Oct. 2017.
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K. Nagase,
S. Yamazaki,
K. Nakatsuji,
H. Hirayama.
Even-odd-parity and electronic structure of Bi(110) ultra-thin films,
The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8),
Oct. 2017.
国際会議発表 (査読なし・不明)
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K. Nakatsuji,
Y. Shimokawa,
T. Fujiwara,
K. Nagase,
S. Yamazaki,
Y. Watanabe,
K. Mase,
K. Takahashi,
H. Hirayama.
Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on a Si(111)√3 x √3-B substrate,
21st International Vacuum Congress,
July 2019.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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潮田 亮太,
志村 舞望,
笠井 大雅,
笹川 直希,
長瀬 謙太郎,
中辻 寛,
平山 博之.
黒燐構造Bi 超薄膜の成長過程と構造相転移の蒸着レート制御,
日本物理学会第76回年次大会,
Mar. 2021.
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潮田亮太,
長瀬謙太郎,
荻野嵩大,
車尾ヴァレンティン基,
中辻 寛,
白澤 徹郎,
平山 博之.
Si(111)7×7 基板上における奇数層高さBi(110)島の出現,
日本物理学会第75回年次大会,
Mar. 2020.
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長瀬謙太郎,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
Si(111)√3×√3-B基板上に低温蒸着したビスマス超薄膜の室温アニールによる構造変化(2),
日本物理学会2019年秋季大会,
Sept. 2019.
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長瀬謙太郎,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
Si(111)√3x√3-B基板上に低温吸着したビスマス超薄膜のアニールによる構造変化,
日本物理学会2018年秋季大会,
Sept. 2018.
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長瀬謙太郎,
小久保郁也,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
Si(111)√3x√3-B表面上に成長したBi(110)超薄膜の構造,
SPRUC顕微ナノ材料科学研究会・表面科学会放射光部会・プローブ顕微鏡研究部会合同シンポジウム,
Mar. 2018.
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長瀬謙太郎,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
低温蒸着によるBi超薄膜の構造と電子状態,
日本物理学会2017年秋季大会,
Sept. 2017.
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下川裕理,
藤原翼,
長瀬謙太郎,
山崎詩郎,
渡辺義夫,
仲武昌史,
間瀬一彦,
高橋和敏,
中辻寛,
平山博之.
Si(111)√3x√3-B表面上に成長した数層Bi(110)薄膜の電子状態,
日本物理学会2017年秋季大会,
Sept. 2017.
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長瀬謙太郎,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
Bi(110)超薄膜の膜厚偶奇性と電子状態,
第37回表面科学学術講演会,
Aug. 2017.
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菅原喜周,
長瀬謙太郎,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
Ag(111)超薄膜中の量子井戸準位と真空中の鏡像準位におけるavoided crossingの測定,
第37回表面科学学術講演会,
Aug. 2017.
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菅原喜周,
長瀬謙太郎,
山崎詩郎,
中辻寛,
平山博之.
Si(111)√3×√3-B 表面上Ag(111)超薄膜のImage Potential Stateの測定,
日本物理学会第72回年次大会,
Mar. 2017.
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藤原翼,
下川裕理,
長瀬謙太郎,
山崎詩郎,
間瀬一彦,
渡辺義夫,
仲武昌史,
中辻寛,
平山博之.
Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の成長と電子状態,
日本物理学会第72回年次大会,
Mar. 2017.
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長瀬 謙太郎,
渡辺 成栄,
山崎 詩郎,
合田 義弘,
中辻 寛,
平山 博之.
Si(111)√3×√3-B表面上に形成されるBi(110)超薄膜の電子状態(II),
日本物理学会第72回年次大会,
Mar. 2017.
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