国内会議発表 (査読なし・不明)

• 牛島和樹, 葛本昌樹, 萩原誠, 滕飛, 石井佑季, 中嶋純一, 堀口剛司, 椋木康滋, 地道拓志. 6.5 kV耐圧SiC-MOSFETのデバイスモデルを用いた並列駆動動作に関する一検討, 電気学会研究会資料. SPC, 半導体電力変換研究会, SPC-20-048, Jan. 2020.
• 滕飛, 葛本昌樹, 萩原誠, 石井佑季, 中嶋純一, 堀口剛司, 椋木康滋, 地道拓志. 6.5kV耐圧SiC-MOSFETのデバイスモデル開発, 電気学会研究会資料. SPC, 半導体電力変換研究会, SPC-19-068, Oct. 2019.
• 滕飛, 葛本昌樹, 萩原誠, 石井佑季, 中嶋純一, 椋木康滋, 堀口剛司. 6.5kV耐圧SiC-MOSFETの出力特性モデリング, 平成31年電気学会全国大会, 4-013, pp. 20-21, Mar. 2019.

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