論文

• Yusuke Takei, Kazuo Tsutsui, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai. Dependence of ohmic contact properties on AlGaN layer thickness for AlGaN/GaN high electron mobility transistors, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 55, No. 4, Apr. 2016.
• "Yusuke Takei", "Masayuki Kamiya", "Kazuo Tsutsui", "Wataru Saito", "Kuniyuki Kakushima", "Hitoshi Wakabayashi", "Yoshinori Kataoka", "Hiroshi Iwai". Reduction of Contact Resistance on AlGaN/GaN HEMT Structures by Introducing Uneven AlGaN Layers, Physica Status Solidi A, Vol. 212, No. 5, pp. 1104-1109, Feb. 2015.
• "Yusuke Takei", "Mari Okamoto", "Wataru Saito", "Kazuo Tsutsui", "Kuniyuki Kakushima", "Hitoshi Wakabayashi", "Yoshinori Kataoka", "Hiroshi Iwai". Ohmic Contact Properties Depending on AlGaN Layer Thickness for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Structures, ECS Transactions, Vol. 61, No. 4, pp. 265-270, May 2014.

国際会議発表 (査読有り)

• Kazuo Tsutsui, Masayuki Kamiya, Yusuke Takei, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Yoshinori Kataoka, Hiroshi Iwai. Low-resistive Contact Formation on AlGaN/GaN HEMT Structures by Introducing Uneven AlGaN Layers, The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014), Aug. 2014.
• Y. Takei, M. Okamoto, W. Saito, K. Tsutsui, K. Kakushima, H. Wakabayashi, Y. Kataoka, H. Iwai. Ohmic Contact Properties Depending on AlGaN Layer Thickness for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Structures, 225th ECS Meeting, May 2014.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Yusuke Takei, Tomohiro Shimoda, Wataru Saito, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai. Lowering Contact Resistances on AlGaN/GaN HEMT Structures by Introducing Uneven AlGaN Layers: Effects of Configuration and Size of Lateral Patterns, 2015 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, Nov. 2015.
• M. Kamiya, Y. Takei, W. Saito, K. Kakushima, H. Wakabayashi, Y. Kataoka, K. Tsutsui, H. Iwai. Evaluation of 2DEG distribution on AlGaN/GaN HEMTs introducing uneven AlGaN layers and its possibility for low-resistive contacts formation, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics: WIMNACT 39, Feb. 2014.
• Yusuke Takei, Mari Okamoto, S. Man, Ryosuke Kayanuma, Masayuki Kamiya, 齋藤渉, KAZUO TSUTSUI, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, Yoshinori Kataoka, HIROSHI IWAI. Contact resistances depending on AlGaN layer thickness for AlGaN/GaN HEMT structures, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT, 2014.
• Masayuki Kamiya, Yusuke Takei, 齋藤渉, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, Yoshinori Kataoka, HIROSHI IWAI. Evaluation of 2DEG distribution on AlGaN/GaN HEMTs introducing uneven AlGaN layers and its possibility for low-resistive contacts formation, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, 2014.
• Sin Man, Rei Kayanuma, Yusuke Takei, T. Takahashi, M. Shimizu, KAZUO TSUTSUI, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, Yoshinori Kataoka, HIROSHI IWAI. A Study on the Fabrication of GaN-FinFET Using Selective Area Growth Method, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, 2014.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 武井優典, 岡本真里, マンシン, 萱沼怜, 神谷真行, 齋藤渉, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 岩井洋. AlGaN/GaN系2次元電子ガスへのコンタクト特性における電極材料およびAlGaN膜厚依存性, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.
• 神谷真行, 武井優典, 齋藤渉, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 筒井一生, 岩井洋. AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタへの凹凸AlGaN層導入による低抵抗コンタクト形成の可能性, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.
• 武井優典, 神谷真行, 寺山一真, 米澤宏昭, 齋藤 渉, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 岩井洋. AlGaN/GaN系HEMTにおけるコンタクト特性のAlGaN層厚依存性, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013.
• 神谷真行, 寺山一真, 武井優典, 齋藤 渉, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 筒井一生, 岩井洋. AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入による２次元電子ガス濃度分布評価および低抵抗コンタクト形成の可能性, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013.

学位論文

• AlGaN/GaN系HEMTにおけるオーミック電極のコンタクト抵抗低減に関する研究,  本文,  博士（工学）,  東京工業大学,  2016/03/26,   
• AlGaN/GaN系HEMTにおけるオーミック電極のコンタクト抵抗低減に関する研究,  審査の要旨,  博士（工学）,  東京工業大学,  2016/03/26,   
• AlGaN/GaN系HEMTにおけるオーミック電極のコンタクト抵抗低減に関する研究,  論文要旨,  博士（工学）,  東京工業大学,  2016/03/26,   

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