国際会議発表 (査読有り)

• K. Kakushima, K. Tachi, M. Adachi, K. Okamoto, S. Sato, J. Song, T. Kawanago, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai. Advantage of La2O3 Gate Dielectric Over HfO2 for Direct Contact and Mobility Improvment, the 38th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC2008), Sept. 2008.
• K. Kakushima, K. Okamoto, M. Adachi, K. Tachi, S. Sato, T. Kawanago, J. Song, P. Ahmet, N. Sugii, K. Tsutsui, T. Hattori, H. Iwai. Impact of Thin La2O3 Insertion for HfO2 MOSFET, 213th ECS Meeting, May 2008.
• Kuniyuki Kakushima, Kouichi Okamoto, Manabu Adachi, Kiichi Tachi, Jaeyeol Song, Soushi Sato, Takamasa Kawanago, Parhat Ahmet, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Sugii, Takeo Hattori, Hiroshi Iwai. Band Bending Measurement of HfO2/SiO2/Si Capacitor with ultra-thin La2O3 Insertion by XPS, Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI2007), Nov. 2007.
• M.Adachi, K.Okamoto, K.Kakushima, P.Ahmet, K.Tsutsui, N.Sugii, T.Hattori, H.Iwai. Control of Flat Band Voltage by Partial Incorporation of La2O3 or Sc2O3 into MfO2 in Metal/MfO2/SiO2/Si MOS Capacitors, ECS Transactions:Physics and Technology of High-k Gate Dielectrics 5, The Electrochemikal Society, Vol. 11, No. 4, pp. 157-167, Oct. 2007.
• [320] Koichi Okamoto, Manabu Adachi, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Nobuyuki Sugii, Kazuo Tsutsui, Takeo Hattori, Hiroshi Iwai. Effective Control of Flat-band Voltage in HfO2 Gate Dielectric with La2O3 Incorporation, ESSDERC 2007, Sept. 2007.

国内会議発表 (査読有り)

• 岡本晃一, 足立学, 角嶋邦之, パールハット・アヘメト, 杉井信之, 筒井一生, 服部健雄, 岩井洋. HfO2/Si 界面へのLa2O3 サブモノレイヤー添加による電気特性の変化, 秋季第68回応用物理学会学術講演会, 秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集, pp. 820, Sept. 2007.
• 上村 英之, 足立 学, 角嶋 邦之, パールハット アヘメト, 筒井 一生, 杉井 信之, 服部 健雄, 岩井 洋. HfO2/SiO2 界面へのSc2O3 添加によるフラットバンド電圧シフト, 秋季第68回応用物理学会学術講演会, 秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集, pp. 820, Sept. 2007.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 足立学, 岡本晃一, 舘喜一, 佐藤創志, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋. HfO2/ La2O3積層キャパシタにおけるLa2O3層に依存した界面層成長抑制の効果, 春季第55回応用物理学会学術講演会, 春季第55回応用物理学会学術講演会予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 849, Mar. 2008.
• 岡本晃一, 舘喜一, 足立学, 佐藤創志, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 杉井信之, 筒井一生, 服部健雄, 岩井洋. Hf O2系 High-kゲートMOSFETの電気特性に対するLa2O3界面層挿入効果, 春季第55回応用物理学会学術講演会, 春季第55回応用物理学会学術講演会 予稿集, 応用物理学会, No. 2, pp. 848, Mar. 2008.

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