国内会議発表 (査読有り)

• 竹崎慶太郎, 日野史郎, 三浦 成久, 大森 達夫, 徳光永輔. 窒化処理とAl2O3堆積膜を用いた4H-SiC MOSFETの作製と評価, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第１８回講演会, Dec. 2009.
• 竹崎慶太郎, 日野史郎, 三浦成久, 大森達夫, 徳光永輔. 窒化処理とAL2O3堆積膜を用いた4H-SiC MOSFETの作製と評価, 第70回 応用物理学会学術講演会, 第70回 応用物理学会学術講演会, 10p-M-21, Sept. 2009.

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