論文

• M. Kashiwano, J. Hirai, S. Ikeda, M. Fujimatsu, Y. Miyamoto. High Open-Circuit Voltage Gain in Vertical InGaAs Channel Metal–Insulator–Semiconductor Field-Effect Transistor Using Heavily Doped Drain Region and Narrow Channel Mesa, JPN. J. APPL. PHYS., vol. 54, no. 4, issue 2, 2013.

国際会議発表 (査読有り)

• M. Kashiwano, J. Hirai, S. Ikeda, M. Fujimatsu, Y. Miyamoto. High Open Circuit Voltage Gain in Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor using Heavily Doped Drain Region and Narrow Channel Mesa, 2012 International Conference on. Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Sept. 2012.
• Jun Hirai, Tomoki Kususaki, Shunsuke Ikeda, YASUYUKI MIYAMOTO. Vertical InGaAs MOSFET with HfO2 gate, 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD 2012), 2012.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 柏野壮志, 平井準, 池田俊介, 藤松基彦, 宮本恭幸. 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型 InGaAs チャネル MISFET の高電圧利得化, 第 73 回応用物理学会学術講演会, Sept. 2012.
• 柏野壮志, 平井準, 池田俊介, 藤松基彦, 宮本恭幸. 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化, 電子情報通信学会技術研究報告, May 2012.
• 柏野壮志, 平井準, 池田俊介, 藤松基彦, 宮本恭幸. GaN HEMT のソース・ドレイン間容量のデバイスシミュレーションによる解析, 電子情報通信学会2011年総合大会, Mar. 2012.
• 藤松基彦, 齋藤尚史, 楠崎智樹, 松本 豊, 平井 準, 宮本恭幸. GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いた縦型トンネルFETに関する研究, 第58回応用物理学会関係連合講演会, Mar. 2011.

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